Ⅰ. Silikon karbid keramika məhsullarının tətbiqi ssenariləri hansılardır?

Silikon karbid (SiC) keramika əla yüksək temperatur müqavimətinə, korroziyaya davamlılığına, yüksək istilik keçiriciliyinə və aşağı istilik genişlənmə əmsalına görə yarımkeçirici və fotovoltaik sənayedə əsas texnoloji avadanlıqların əsas komponentlərində geniş istifadə olunur. Aşağıdakılar tipik məhsulların xüsusi tətbiqi ssenariləridir:

Silisium karbid qayıq

Function:

SiC Boat adətən yüksək temperatur proseslərində ötürülməsi və yerləşdirilməsi üçün vafliləri (silikon vaflilər və ya silisium karbid vafliləri kimi) daşımaq üçün istifadə olunur.

Proqram ssenariləri:

Yarımkeçirici emal sahəsi: Diffuziya sobalarında və oksidləşmə sobalarında, istilik gərginliyi səbəbindən vaflinin deformasiyası və ya çirklənməsinin qarşısını almaq üçün qayığın 1000 ° C-dən yuxarı yüksək temperatur mühitində uzun müddət sabit işləməsi lazımdır.

Fotovoltaik sənaye: PECVD (plazma ilə gücləndirilmiş kimyəvi buxar çökmə) avadanlığında qayıq silisium nitridi əks etdirən filmin çökdürülməsi üçün silikon vafliləri dəstəkləmək üçün istifadə olunur və yüksək tezlikli plazma bombardmanına və yüksək temperatur mühitinə tab gətirməlidir.

Silikon karbid soba borusu (SiC Reaksiya Borusu)

Funksiya: Yüksək temperatur reaksiya kamerasının əsas komponenti kimi, vahid temperatur sahəsi və kimyəvi cəhətdən inert mühit təmin edir.

Proqram ssenariləri:

Yarımkeçirici sənayesi: Oksidləşmə sobasında, oksidləşmə və ya korroziya nəticəsində çirklərin buraxılmaması üçün soba borusu uzun müddət oksigen və ya su buxarı mühitində sabit qalmalıdır.

Fotovoltaik sənaye: Diffuziya sobasında soba borusu fosforun diffuziya prosesi üçün istifadə olunur (məsələn, PERC hüceyrələrinin hazırlanması) və POCl₃ atmosferində turşu qaz korroziyasına müqavimət göstərmək lazımdır.

Konsollu Avar və Qayıq Tutacağı

Funksiya: Konsol avar, kristal qayığı avtomatik ötürmək üçün istifadə olunur və qayıq tutucusu kristal qayığın mövqeyini düzəltmək üçün istifadə olunur.

Proqram ssenariləri:

Yarımkeçirici vafli prosesində, istilik yorğunluğu səbəbindən sınıqdan qaçmaq üçün konsol avarının sürətli qaldırma və endirmə zamanı yüksək mexaniki gücü saxlamaq lazımdır; vafli sapmaların qarşısını almaq üçün qayıq sahibi yüksək temperaturda həndəsi dəqiqliyi saxlamalıdır.

Ⅱ. Fotovoltaik və yarımkeçirici sənayedə silisium karbid materiallarının tətbiqi istiqamətləri hansılardır?

Silikon karbid keramika məmulatlarının əsas tətbiqləri iki növ avadanlıqların texnoloji əlaqələrində cəmlənmişdir:

Performans göstəriciləri	Qrafit material	Silisium karbid material
Yüksək temperatur sabitliyi	Asan oksidləşir (>500°C örtükdən qorunma tələb edir)	Antioksidləşmə (uzun müddət 1600°C oksidləşdirici atmosferə davam edə bilər)
Kimyəvi inertlik	Turşu qazlar (Cl₂, POCl₃ kimi) tərəfindən asanlıqla korroziyaya məruz qalır.	Turşu və qələvi korroziyaya davamlılıq (HF, HNO₃ kimi güclü aşındırıcı mühitlər daxil olmaqla)
Hissəciklərin çirklənməsi riski	Toz çirklənməsini yaratmaq asandır, bu da vafli qüsurlara səbəb olur	Sıx səth, hissəciklərin tökülməsi riski yoxdur
Mexanik gücü	Yüksək temperaturda asanlıqla deformasiya olunur (yüksək istilik genişlənmə əmsalı)	Yüksək sərtlik (Mohs sərtliyi 9.2), güclü termal şok müqaviməti
İstilikkeçirmə	Anizotropiya, yerli həddindən artıq istiləşmə riski yüksəkdir	Yüksək istilik keçiriciliyi (120 W/m`K), vahid temperatur sahəsi

Fotovoltaik sənaye

PECVD sobası: əks etdirməyə qarşı filmləri (məsələn, silisium nitridi) yerləşdirmək üçün istifadə olunur. Silikon karbid hissələri, 400~500°C plazma mühitində parıltı axıdılması nəticəsində yaranan ion bombardmanına müqavimət göstərməli, eyni zamanda filmlə çirklənmədən qaçmalıdır.

Diffuziya sobası: PN birləşmələri yaratmaq üçün fosfor/bor diffuziyası üçün istifadə olunur. Silikon karbid soba boruları 800~1000°C temperaturda POCl₃ və ya BBr₃ qazlarının korroziyasına tab gətirməli və dopinq vahidliyini təmin etməlidir.

Yarımkeçirici sənayesi

Diffuziya sobası və oksidləşmə sobası:

Diffuziya sobası: ion implantasiyasından sonra yumşalma prosesi üçün istifadə olunur. Silikon karbid kristal qayıqları metal çirkləri (məsələn, Fe, Ni kimi) buraxmamalıdır, əks halda vafli sızma cərəyanının artmasına səbəb olacaqdır.

Oksidləşmə sobası: quru oksigen və ya yaş oksigen mühitlərində silikon dioksid təbəqələrini yetişdirin. Silisium karbid soba boruları qeyri-bərabər oksid təbəqəsinin qalınlığının qarşısını almaq üçün 1200 ° C yüksək temperaturda aşağı oksigen keçiriciliyini saxlamalıdır.

Ⅲ. Silisium karbid materiallarının qrafitlə müqayisədə üstünlükləri nələrdir?

Qrafit materialları aşağı qiymət və asan emal üstünlüklərinə malik olsalar da, aşağıdakı əsas xüsusiyyətlərə görə silisium karbidindən xeyli aşağıdırlar:

Xüsusi hal təhlili:

Veteksemicon-un faktiki istehsal statistikasına görə, yarımkeçirici diffuziya sobasında qrafit qayığın hər 3 ayda dəyişdirilməsi lazımdır, silisium karbid qayığı isə 2 ildən çox davam edə bilər və vafli məhsuldarlığı 5% ~ 10% artır.

Semixlab tərəfindən təqdim edilən istehsal məlumatlarına görə, fotovoltaik PECVD prosesində, silisium karbid konsol avar hissəcik çirklənməsinin olmaması səbəbindən batareyanın səmərəliliyini 2% ~ 5% artıra bilər.

Ⅳ. niyə Semixlab seçirsiniz?

Semixlab 20 ildir ki, qrafit və SiC səth örtüklərinin tədqiqinə diqqət yetirən Çində aparıcı istehsalçı və təchizatçıdır. İllərlə apardığımız texniki tədqiqat və inkişafdan sonra SiC örtük prosesimiz 99.98%-dən çox təmizliyə nail ola bilər və biz həmçinin tətbiq ssenarilərinizə uyğun olaraq müxtəlif təmizlik və qiymətə malik silisium karbid məhsullarını fərdiləşdirə bilərik. Yarımkeçirici vafli məhsulları ilə birbaşa təmas kimi daha yüksək təmizlik məhsuluna ehtiyacınız varsa, müxtəlif sərt texniki tələblərinizə cavab vermək üçün substrat materialının səthində CVD SiC örtüyü, CVD TaC örtüyü və digər prosesləri təmin edə bilərik.