Si epitaksi üçün SiC örtüklü məsaməli qrafit disk

Name: Si epitaksi üçün SiC örtüklü məsaməli qrafit disk
Brand: Semixlab
Price: 60.0 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (18 reviews)

Semixlab Semiconductor-dan SiC örtüklü məsaməli qrafit diski temperaturun vahidliyi və prosesin təmizliyinin vacib olduğu qabaqcıl Si epitaksi reaktorları üçün nəzərdə tutulmuşdur. Yüksək təmizlikdə izostatik məsaməli qrafitdən hazırlanmış və sıx CVD SiC örtüyü ilə qorunan disk sabit yüksək temperaturda işləmə, vahid qaz diffuziyası və hidrogen və xlor korroziyasına müstəsna müqaviməti təmin edir.

INQUIRY

Təsvir: Hər maşın üçün dəqiq və cəlbedici təsvir yazmağınız daha yaxşı olar. Bunun üçün chat.openai.com saytına daxil olaraq, orada aşağıdakı kimi sorğu yarada bilərsiniz: "Create the most powerful SEO-friendly text about [avtomobil modeli] for rentacarXNUMX.az site." Qeyd: "[avtomobil modeli]" yerinə təsvirini yazmaq istədiyiniz avtomobilin adını qeyd edin.

Semixlab-ın SiC örtüklü məsaməli qrafit diski qabaqcıl silikon epitaksiya (Si epitaksial artım) sistemləri üçün nəzərdə tutulmuş dəqiqliklə işlənmiş komponentdir. Əsas material yüksək istilik keçiriciliyinə, aşağı sıxlığa və optimallaşdırılmış açıq məsamə strukturuna malik izostatik incə dənəkli məsaməli qrafitdir. Səth kimyəvi buxar çökmə (CVD) vasitəsilə çökdürülmüş sıx, yüksək təmizlikli silisium karbid (SiC) təbəqəsi ilə örtülmüşdür. Bu örtük hidrogen və xlorlu mühitlərdə korroziyaya, hissəciklərin yaranmasına və kimyəvi eroziyaya qarşı müstəsna müqavimət təmin edir.

Xüsusiyyətlər

CVD SiC örtüyünün əsas fiziki xassələri
Əmlak	Tipik Value
Kristal quruluş	FCC β faza polikristal, əsasən (111) yönümlü
Sıxlıq	3.21 g / sm³
Sərtlik	2500 Vickers sərtliyi (500 q yük)
Taxıl ölçüsü	2 ~ 10μm
Kimyəvi Saflıq	99.99995%
İstilik tutumu	640 J·kq^-1K^-1
Sublimasiya temperaturu	2700 ℃
Flexural Gücü	415 MPa RT 4 nöqtəli
Gəncin Modulu	430 Gpa 4pt əyilmə, 1300 ℃
İstilikkeçirmə	300W·m^-1K^-1
Termal Genişlənmə (CTE)	4.5 × 10^-6K^-1

Applications

Si Epitaksiya Prosesində Funksiya və Rol

Müasir Si epitaksial CVD reaktorlarında yüksək keyfiyyətli, qüsursuz epitaksial təbəqələrə nail olmaq üçün temperaturun vahidliyinə və qaz axınının paylanmasına dəqiq nəzarət vacibdir. SiC ilə örtülmüş məsaməli qrafit diski aşağıdakı funksiyaları yerinə yetirmək üçün strateji olaraq vafli qəbuledicinin altına və ya qaz diffuzorunun bir hissəsi kimi yerləşdirilir:

1. Qaz axınının bərabərləşdirilməsi

Məsaməli struktur vafli səthi boyunca proses qazlarının (məsələn, SiHCl₃, H₂, HCl) vahid laminar axını təmin edərək, qaz diffuzoru kimi çıxış edir. Bu, axın turbulentliyini aradan qaldırmağa və böyük vafli diametrlərdə (6-8 düym) ardıcıl çökmə nisbətlərini saxlamağa kömək edir.

2. İstilik sahəsinin vahidliyi

Yüksək istilik keçiriciliyi və uyğunlaşdırılmış məsamə dizaynı ilə disk istiliyi bərabər şəkildə paylayır və radial temperatur gradientlərini azaldır. SiC örtüyünün infraqırmızı əks etdirmə qabiliyyəti enerjidən istifadəni artırır və vafli temperaturu ±1°C daxilində sabitləşdirir.

3. Korroziya və hissəciklərə nəzarət

SiC təbəqəsi qoruyucu maneə rolunu oynayır, qrafitin oksidləşməsinin, hidrogenin aşındırılmasının və karbon qazının çıxarılmasının qarşısını alır. Bu, epitaksial təbəqədə hissəciklərin yaratdığı qüsurları minimuma endirərək, ultra təmiz şəraiti təmin edir.

4. Uzunmüddətli Etibarlılıq

Məsaməli qrafit və SiC örtüyünün birləşməsi örtülməmiş qrafit komponentlərinə nisbətən 3-5 dəfə daha uzun ömür təmin edir, dayanma müddətini və texniki xidmət tezliyini azaldır.

Semixlab epitaksial böyümə, istilik emal və kristal artım sistemləri üçün qabaqcıl SiC örtüklü qrafit komponentlərində ixtisaslaşmışdır. Bizim daxili örtük texnologiyamız sıx, vahid və yüksək təmizlikli SiC təbəqələrini təmin edir ki, bu da komponentlərin ömrünü uzadır və tələbkar proses şəraitində müstəsna təmizliyi qoruyur. Reaktor konfiqurasiyasına, məsamə ölçüsü tələblərinə və istilik sahəsinə əsasən fərdi dizaynlar mövcuddur. Əlavə sorğularınızı gözləyirik.