Pirolitik qrafit pota

SiC Tək Kristal Böyüməsi üçün Semixlab Pirolitik Qrafit (PG) Crucible, yeni nəsil enerji elektronikasında istifadə olunan 4H- və 6H-SiC bulalarının Fiziki Buxar Nəqliyyatı (PVT) böyüməsi üçün xüsusi olaraq hazırlanmış dəqiqliklə işlənmiş əsas komponentdir. Kimyəvi buxar çökdürmə üsullarından istifadə etməklə istehsal edilən pirolitik qrafit 2200°C-dən yuxarı temperaturlarda ultra yüksək təmizlik, üstün istilik vahidliyi və müstəsna struktur bütövlüyü təqdim edir. Bu xüsusiyyətlər PG-ni yüksək performanslı SiC sublimasiya sobaları üçün seçim materialına çevirir, burada kristal mükəmməlliyi, temperatur sabitliyi və çirklənməyə nəzarət birbaşa vafli məhsuldarlığı və elektrik performansını təyin edir.

SiC PVT prosesində, pirolitik qrafit pota SiC mənbə tozunu ehtiva edən mərkəzi sublimasiya kamerasını təşkil edir və idarə olunan kristal böyüməsi üçün tələb olunan kritik temperatur gradientlərini təyin edir. PG-nin anizotrop istilik keçiriciliyi - daha yüksək müstəvidə və daha aşağı qalınlıqda - istilik sahəsinin dəqiq formalaşdırılmasına imkan verir, BPDs, TSDs, mikroborular və yığma nasazlıqları kimi qüsurların əmələ gəlməsini minimuma endirən optimallaşdırılmış eksenel və radial temperatur profillərinin inkişafına dəstək verir. Onun son dərəcə aşağı məsaməliliyi və demək olar ki, sıfır hissəcik tökülməsi təsadüfi dopinq və çirklənməni əhəmiyyətli dərəcədə azaldır, tez-tez bir neçə gün davam edən uzun böyümə dövrləri boyunca sabit n-tipli və yarı izolyasiya edən SiC kristal istehsalını təmin edir.

Pirolitik qrafitin xas kimyəvi təsirsizliyi bütün PVT dövrü ərzində təmiz sublimasiya mühitinin saxlanmasında mühüm rol oynayır. Ənənəvi qrafitdən fərqli olaraq, PG ultra yüksək temperatur və vakuum şəraitinə uzun müddət məruz qaldıqda içəriyə daxil edilmiş qazları və ya qalıq çirkləri buraxmır. Bu sabitlik oksigen, azot və metal çirkləndiricilər kimi çirklərin birləşməsini boğmağa kömək edir və bununla da RF cihazları üçün yüksək müqavimətli materialların, eləcə də güc MOSFETləri, Schottky diodları və yüksək gərginlikli modullar üçün yüksək hərəkətli SiC substratlarının istehsalına dəstək verir.

Semixlab-ın istehsal prosesi hər bir PG potasının təkrarlanan istilik modelləşdirməsi və uzunmüddətli soba etibarlılığı üçün vacib olan ardıcıl sıxlıq, homojen CVD-çökmə təbəqəsi və dəqiq ölçülü toleranslar təklif etməsini təmin edir. Qabaqcıl emal və təmizləmə prosesləri hamar daxili səthlər, azaldılmış hissəciklərin əmələ gəlməsi və partiyadan partiyaya davamlı olaraq aşağı elektrik və istilik dəyişkənliyi təmin edir. Bu etibarlılıq yüksək həcmli SiC kristal istehsal xətlərində sabit artım templərini, proqnozlaşdırıla bilən temperatur gradientlərini və sobanın dayanma müddətini azaltmaq üçün çox vacibdir.

Yarımkeçirici sənayesi böyük diametrli SiC külçələrinə doğru inkişafını sürətləndirdikcə, onlara tələbat artmaqda davam edir.. SiC Tək Kristal Growth üçün Semixlab Pirolitik Qrafit Pota 150 mm SiC və 200 mm-lik vafliləri hədəfləyən PVT sistemləri üçün yüksək performanslı, çirklənməyə nəzarət edilən təməl təmin edir. Ultra yüksək temperatur qabiliyyətini, dizayn edilmiş istilik anizotropiyasını və müstəsna təmizliyi birləşdirərək, Semixlab vafli istehsalçılarına daha yüksək kristal keyfiyyətinə, daha uzun soba ömrünə və daha çox prosesin təkrarlanabilirliyinə nail olmaq imkanı verir - EV, bərpa olunan enerji və sənaye enerjisinin çevrilməsi texnologiyalarının qlobal genişlənməsini dəstəkləyir.