EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
MOCVD üçün SiC örtüklü qrafit qızdırıcısı
Semixlab SiC Örtülü Qrafit MOCVD Qızdırıcısı, ultra yüksək təmizlikli qrafit substratın səthində vahid, sıx silisium karbid (SiC) örtüyü yaratmaq üçün kimyəvi buxar çökdürməsindən (CVD) istifadə edən yarımkeçiricilərin istehsalı prosesləri üçün nəzərdə tutulmuş yüksək performanslı qızdırılan daşıyıcıdır.
Təsvir: Hər maşın üçün dəqiq və cəlbedici təsvir yazmağınız daha yaxşı olar. Bunun üçün chat.openai.com saytına daxil olaraq, orada aşağıdakı kimi sorğu yarada bilərsiniz: "Create the most powerful SEO-friendly text about [avtomobil modeli] for rentacarXNUMX.az site." Qeyd: "[avtomobil modeli]" yerinə təsvirini yazmaq istədiyiniz avtomobilin adını qeyd edin.
Products Details
SiC ilə örtülmüş qrafit MOCVD qızdırıcısı qrafitin əla istilik keçiriciliyini SiC örtüklərinin yüksək temperaturu və korroziyaya davamlılığı ilə birləşdirir və vafli epitaksinin böyümə proseslərində sabitliyi və yüksək təmizliyi təmin etmək üçün metal-üzvi kimyəvi buxar çökmə (MOCVD) avadanlıqlarında geniş istifadə olunur.
SiC örtüklü Qrafit MOCVD Qızdırıcı Məhsul Xüsusiyyətləri
1. Ultra yüksək təmizlik və kimyəvi sabitlik
Saflıq ≥99.99995%: Qrafit Qızdırıcımız CVD prosesi vasitəsilə yüksək temperaturda xlorlama altında hazırlanır, bu da metal çirklərinin çirklənməsinin qarşısını effektiv şəkildə alır və yarımkeçirici istehsalında ultra təmiz mühitlərə olan tələbatı ödəyir.
Antikimyəvi korroziya: SiC örtüyünün sıx və yüksək sərtliyi (Vickers sərtliyi 2500-2800) turşuların, qələvilərin, duzların və üzvi həlledicilərin aşınmasına müqavimət göstərə bilər ki, bu da aşındırıcı qaz mühitində avadanlığın xidmət müddətini uzadır.
2. Əla yüksək temperatur müqaviməti
Yüksək temperatur sabitliyi: inert atmosferdə 3000 ° C-ə qədər, vakuum mühitində 2200 ° C-ə qədər sabit işləməyə və MOCVD reaksiya kamerasının ekstremal şəraitinə uyğun olan oksidləşdirici mühitdə 1600-1700 ° C-ə qədər davam edə bilər.
Aşağı Termal Genişlənmə Əmsalı (4.5 x 10-⁶K-¹): MOCVD Qrafit Qızdırıcının bu xüsusiyyəti temperaturun dəyişməsi səbəbindən örtüyün çatlamasını və ya soyulmasını effektiv şəkildə azaldır, uzunmüddətli istilik dövriyyəsi altında struktur bütövlüyünü təmin edir.
3. Optimallaşdırılmış istilik idarəetmə performansı
Yüksək İstilik Keçiriciliyi (200-300 Vt/mK): Qrafit MOCVD Qızdırıcısının yüksək istilik keçiriciliyi məhsulun vafli səthinin temperaturunun ardıcıl paylanmasına (±1°C) nail olmaq üçün istiliyi tez və bərabər şəkildə ötürə biləcəyini müəyyən edir və bununla da epitaksial təbəqənin vahidliyini effektiv şəkildə yaxşılaşdırır.
Laminar qaz axını sahəsinin dizaynı: Davamlı texnologiya iterasiyası və təkmilləşdirilməsindən sonra MOCVD Qızdırıcının səthinin hamarlığı (Ra ≤ 0.8μm) və həndəsə optimallaşdırması reaktiv qazların vahid paylanmasını təmin edir və turbulentliyin səbəb olduğu çökmə qeyri-bərabərliyini azaldır.
Xüsusiyyətlər
Texniki Parametrlərin Müqayisəsi və Üstünlükləri
| Xüsusiyyətlər | Semixlab SiC örtüklü qızdırıcılar | Adi qrafit qızdırıcılar |
| Maksimum işləmə temperaturu (inert) | 3000 ° C | 2500 ° C |
| Kimyəvi Saflıq | ≥ 99.99995% | ≤ 99.99 |
| İstilikkeçirmə | 300 Vt/mK | 120-150 Vt/mK |
| Qablaşdırma yapışması | 415 MPa (4 nöqtəli əyilmə) | 100-200 MPa |
| Tipik həyat (dövrlər) | > 500 dövr | 100-200 dövr |
Müsabiqəli Advantage
Niyə Semixlab?
Fərdiləşdirmə: Semixlab müştərilərimizə fərdiləşdirilmiş məhsullar və texniki xidmətlər təqdim etməyə sadiqdir. Geniş çeşidli avadanlıq ehtiyaclarını ödəmək üçün qeyri-standart ölçülərin (diametri 360 mm-ə qədər) və örtük qalınlığının (20-500μm) fərdiləşdirilməsini dəstəkləyirik.
Qlobal Sertifikatlaşdırma: SiC örtüklü qrafit qızdırıcımız SEMI uyğun, ISO 9001 sertifikatına malikdir və məhsullarımız əhəmiyyətli qiymət/performans üstünlüyü ilə əsasən Avropa və ABŞ, həmçinin Yaponiya və Cənubi Koreyaya ixrac edilir.
Texniki sinerji: Semixlab uzun müddətdir ki, örtük sıxlığını və termal zərbəyə davamlılığı optimallaşdırmaq üçün patentləşdirilmiş örtük texnologiyalarından (məsələn, CGT Carbon-un SiC³ prosesi) istifadə edərək Çinin ən yaxşı tədqiqat institutları ilə sıx əməkdaşlıq edir.
