GaN / GaAs CVD SiC Örtüklü Epitaksi Susseptor Daşıyıcısı

Əsas konstruksiya olduqca sadədir. Biz yüksək sıxlıqlı, izostatik qrafit nüvəsindən istifadə edirik və CVD vasitəsilə üstündə qalın β-SiC təbəqəsi yetişdiririk. Bu, sizə qrafitdən istədiyiniz istilik keçiriciliyini verir, SiC örtüyü isə kimyəvi maddələri idarə edir. NH₃, H₂ və prosesin yaratdığı digər amillər — örtük bütün bunları altındakı qrafitdən uzaq tutur. Nəticədə GaN, GaAs, Micro-LED, RF və güc yarımkeçirici fabriklərində saxlayan bir hissə əldə edilir.

Onları real dünyada işləməyə vadar edən nədir?

Təmizlik məsələsində: qrafit xammalı ilə bağlı çox seçiciyik. İstifadə etdiyimiz izostatik dərəcələr əvvəlcə təmiz olur, CVD SiC örtüyü isə çox sıx olur. Metal çirklənməsi o qədər aşağıdır ki, yüksək təmizlikli epitaksi kamerasını çirkləndirəcəyindən narahat olmağınıza ehtiyac yoxdur.

İstilik davranışı da eyni dərəcədə vacibdir. Plitə səthində vahid temperatur görməsi üçün istilik profilini uyğunlaşdırmaq üçün səy göstəririk. Yüksək temperaturda uzun müddət davam edən proseslər, sürətli isitmə və soyutma — susseptor bütün bunlar boyunca ölçü baxımından sabit qalır. Bu tutarlılıq qalınlığın vahidliyində və tərkib nəzarətində ard-arda özünü göstərir.

Kimyəvi hücum, ehtimal ki, GaN MOCVD-də ən böyük narahatlıqdır. Əgər siz heç vaxt çılpaq qrafit hissəsinin bir neçə dövrdən sonra aşındığını görmüsünüzsə, nə demək istədiyimi başa düşürsünüz. SiC örtüyü bu dinamikanı dəyişdirir. O, proses qazlarına daha yaxşı müqavimət göstərir və yaşlandıqca material tökmədiyi üçün kameranın ətrafında daha az hissəcik üzür. Kamera daha təmizdir, məhsuldarlıq daha yaxşıdır — bu, birbaşadır.

Mexaniki olaraq örtük yapışır. Yapışma üçün çox iş gördük, buna görə də hissə istilik şoku keçirdikdə belə suluqlanma və ya qabıqlanma baş vermir. Sıx CVD strukturu da buna kömək edir. İstifadəçilər tez-tez örtülməmiş qrafitdən aldıqları ömür müddətini bir neçə dəfə daha uzun görürlər ki, bu da kameranın təmizlənməsi və hissənin dəyişdirilməsi üçün daha az boş vaxt deməkdir.

Onları adətən harada tapa bilərsiniz?

GaN MOCVD və HVPE — LED-lər, enerji cihazları, RF çipləri, Mikro-LED-lər. Proses temperaturu bu material sistemi üçün ən uyğun nöqtə olan 1000 °C ilə 1100 °C arasında dəyişir.

GaAs MOCVD — VCSEL-lər, optik rabitə lazerləri, infraqırmızı sensorlar, RF hissələri. Oxşar istilik tələbləri, bir az fərqli kimya, təmiz, sabit daşıyıcıya eyni ehtiyac.

Ümumi yüksək temperaturlu yarımkeçirici alətlər — yalnız epitaksi reaktorlarından başqa, onlar təmizlik və istilik sabitliyinin vacib olduğu lövhə daşıyıcı qurğularında və istilik zonası komponentlərində də mövcuddur.

Keyfiyyəti necə sabit saxlayırıq

Ən yaxşı qrafit və ən yaxşı örtük kimyasına sahib ola bilərsiniz, amma proses düzgün qurulmadığı təqdirdə hissə işləməyəcəkdir. Qrafit dərəcələrini istilik keçiriciliyinə, sıxlığa və uzunmüddətli ölçülü sabitliyə əsasən seçirik. Daha sonra CVD addımı hər bir dizayna uyğunlaşdırılır - xüsusən də böyük diametrli susceptorlar və ya çətin həndəsəyə malik hər hansı bir şey üçün vacibdir. Məqsəd bərabər örtük və güclü yapışma, nazik ləkələr və ya zəif kənarların olmamasıdır.

Hər bir partiya bir neçə yoxlama məntəqəsindən keçir: örtük qalınlığı, səthin pürüzlülüyü, kritik ölçülər, təmizlik və ümumi örtük bütövlüyü. Bu, cazibədar deyil, amma hissəciklərin sayını azaldır və xoşagəlməz sürprizlər olmadan prosesinizi təkrarlamağa imkan verir.

Niyə çılpaq qrafit əvəzinə SiC örtüyü seçməlisiniz?

Sadə dillə desək: çılpaq qrafit yeyilir. SiC ilə örtülmüş qrafit isə yeyilmir. Daha dəqiq desək, aşağıdakıları əldə edirsiniz:

● Korroziyalı qazlara qarşı daha yaxşı müqavimət

● Zamanla daha az hissəcik əmələ gəlməsi

● Dəyişdirilmədən əvvəl daha uzun faydalı ömür

● Daha sabit proses şərtləri

● Daha yüksək və daha ardıcıl lövhə məhsuldarlığı

Məntiqli olan kombinasiyadır - qrafit istiliyi hərəkətə gətirir, SiC isə kimyəvi sui-istifadəni öz üzərinə götürür. Mürəkkəb yarımkeçirici epitaksiyada bu, bir səbəbdən ən yaxşı həll yoluna çevrilib.

Özelleştirme

Biz demək olar ki, heç vaxt eyni hissəni iki dəfə yığmırıq. Göndərdiyimiz məhsulların əksəriyyəti müştərinin çertyojuna əsasən hazırlanır və ya müəyyən bir reaktor modelinə uyğunlaşdırılır. Biz aşağıdakıları tənzimləyə bilərik:

● Vafli ölçüsü və cib düzülüşü

● Ciblərin sayı və düzülüşü

● Deşik naxışları və deşiklər

● Ümumi qalınlıq

● Səthi bitirmə tələbləri

Prototiplər və istehsal həcmləri yaxşıdır — bir neçə sınaq hissəsinə və ya davamlı çatdırılmaya ehtiyacınız olsun, sizinlə işləyəcəyik.

Tez-tez soruşulan suallar

SiC örtüklü susseptor dəqiq nə edir?

Epitaksial böyümə zamanı lövhələri saxlayır, istiliyi lövhənin səthinə bərabər şəkildə yayır və qrafiti korroziyalı proses qazlarından qorumaq üçün SiC təbəqəsindən istifadə edir.

Niyə sadəcə örtülməmiş qrafitdən istifadə etmirsiniz?

Örtülməmiş qrafit isti ammonyak və hidrogen kimi qazlarda çox tez korroziyaya uğrayır. Bu, hissəciklər əmələ gətirir, hissələrin ömrünü qısaldır və məhsuldarlığa mənfi təsir göstərir. SiC örtüyü bu üç problemi həll edir.

Bunları fərqli reaktorlar üçün qura bilərsinizmi?

Əlbəttə. Biz ölçüləri, cib planlarını və dəlik naxışlarını istifadə etdiyiniz istənilən MOCVD və ya HVPE alətinə uyğunlaşdırırıq.

Onlar hansı proseslər üçün uyğundur?

GaN LED, güc və RF epi; Micro-LED; VCSEL və GaAs epitaksi — yüksək temperaturda təmiz, termal cəhətdən sabit daşıyıcıya ehtiyac duyduğunuz hər yerdə.